[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710140999.3 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107195621B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 脇岡宽之 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于具备：
第1半导体芯片，经由粘接剂设置在衬底的上方；
第1树脂部件，覆盖所述第1半导体芯片；
第2半导体芯片，设置在所述第1树脂部件之上，在隔着所述第1树脂部件与所述第1半导体芯片对向的部分具有体积比所述第1半导体芯片的体积与所述粘接剂的体积的合计体积小的凹部；以及
第2树脂部件，密封所述第2半导体芯片。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述凹部的开口端位于所述第1半导体芯片的外侧，且所述凹部的深度比从所述衬底至所述第1半导体芯片的与所述第2半导体芯片对向的面的高度浅。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：
还具备多个第3半导体芯片，所述多个第3半导体芯片积层在所述第2半导体芯片之上，且被所述第2树脂部件密封。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
所述第2半导体芯片与所述多个第3半导体芯片为半导体存储芯片，输入到所述半导体装置的数据及从所述半导体装置输出的数据经由所述第1半导体芯片而输入到所述半导体存储芯片及从所述半导体存储芯片输出。
5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：
在衬底的上方经由粘接剂设置第1半导体芯片，
在第2半导体芯片形成体积比所述第1半导体芯片的体积与所述粘接剂的体积的合计体积小的凹部，
利用沿着所述第2半导体芯片的所述凹部粘接的第1树脂部件覆盖粘接在衬底上方的第1半导体芯片，且
利用第2树脂部件覆盖所述第2半导体芯片。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
通过照射激光而形成所述凹部。
7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
通过蚀刻而形成所述凹部。
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