[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法、封装方法

摘要

本发明提供了一种3D NAND存储器件及其制造方法、封装方法，通过绝缘环将环内和环外的堆叠层隔离开，绝缘环内仍为氧化物层和氮化物层的堆叠，绝缘环外为氧化物层和金属层的堆叠，绝缘环内的氧化物层和氮化物层的堆叠易于贯通接触孔的形成，而绝缘环外金属层保证了存储阵列字线的电连接，这种结构的贯通接触孔便于实现存储器件同CMOS芯片的连接，且易于同现有的工艺集成，特别是当堆叠层的厚度不断增加后，无需刻蚀金属堆叠来形成贯通接触孔，利于工艺的实现和集成度的不断提高。

主权项

1.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：基底；所述基底上的堆叠层，所述堆叠层包括沿字线方向依次排布的第一区域、第二区域和第三区域；其中，所述第二区域位于所述第一区域和第三区域之间，所述第二区域中形成有贯通的绝缘环，所述绝缘环内的堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和氮化物层，所述绝缘环内的堆叠层中形成有贯通接触孔；所述绝缘环外的第二区域以及第一区域、第三区域的堆叠层为相互间隔堆叠的氧化物层和金属层，堆叠层中的顶层金属层为顶层选择栅，所述第一区域和第三区域中形成有用于形成存储器件的沟道孔；设置在绝缘环外的栅线缝隙。