[发明专利]三维存储器测试结构及其制作方法、测试方法

摘要

本发明实施例公开了一种三维存储器测试结构及其制作方法、测试方法，该三维存储器测试结构曝露所述第M层金属栅极的部分区域，从而在研发过程中，可以利用该测试方法通过直接利用探针测试第M层金属栅极的电阻，来获得所述三维存储器测试结构中金属栅极的填充性能，从而比较不同工艺下金属栅极的填充性能，而无需等整个三维存储器的后端工艺制作完成后再测试金属栅极的填充性能，缩短了研发周期，降低了研发成本。

主权项

1.一种三维存储器测试结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底表面的堆叠结构，所述堆叠结构包括沿预设方向呈阶梯状排布的N层金属栅极，以及位于相邻两层金属栅极之间的氧化层，N为大于1的正整数，所述预设方向垂直于所述基底表面；形成于所述堆叠结构的第一区域和第二区域的多个沟道孔，其中，所述第二区域位于所述第一区域外围，且所述第二区域内沟道孔的密度小于所述第一区域内沟道孔的密度；形成于在所述沟道孔内的存储结构；形成于所述N层金属栅极中第M层金属栅极上方各层金属栅极和氧化层对应所述第二区域中预设区域内的曝露结构，所述曝露结构曝露所述第M层金属栅极部分区域，M为大于零且不大于N的任一正整数或依次为N‑1中任一正整数。