[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710131977.0 申请日: 2017-03-07
公开(公告)号: CN107871716B 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 池田靖;串间宇幸;大久保真司;宫崎高彰 申请(专利权)人: 株式会社日立功率半导体
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/60
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 丁文蕴;金成哲
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种半导体装置,实现半导体装置的高品质化。功率模块具备:陶瓷基板(3),其具备主面(3d)和背面(3e),且在主面(3d)设有多个金属配线(3a);半导体芯片,其搭载于多个金属配线(3a)中的任一个金属配线(3a)上;以及树脂部(11),其配置在多个金属配线(3a)的每一个的周围。而且,金属配线(3a)的侧面(3f)具备:形成有镀膜(3ga)的第一区域(3g);位于比第一区域(3g)靠上方且作为非镀层区域的第二区域(3h);以及位于第一区域(3g)与第二区域(3h)之间,且形成有金属粒子(10)的第三区域(3i),树脂部(11)与金属粒子(10)、镀膜(3ga)以及陶瓷基板(3)的主面(3d)接合。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具有:绝缘基板,其具备第一面和位于上述第一面的相反侧的第二面,且在上述第一面设有多个配线部;半导体芯片,其搭载于多个上述配线部中的任一个配线部上;以及树脂部,其配置在多个上述配线部的每一个的周围,多个上述配线部中的任一个配线部的侧面具备:形成有镀膜的第一区域;以及第二区域,其位于比上述第一区域远离上述绝缘基板的上述第一面的方向,且未形成上述镀膜,上述树脂部与上述镀膜及上述绝缘基板的上述第一面接合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立功率半导体,未经株式会社日立功率半导体许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710131977.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top