[发明专利]III‑V族化合物横向纳米线结构，纳米线晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710122443.1 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106898641A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张望;韩伟华;赵晓松;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种III‑V族化合物横向纳米线结构，纳米线晶体管及其制备方法。该III‑V族化合物横向纳米线结构包括p型SOI衬底，p型SOI衬底的最上层为顶层硅，该顶层硅形成的多级平行的硅亚微米线；以及桥连在相邻两硅亚微米线之间的III‑V族化合物纳米线。本发明III‑V族化合物横向纳米线结构选用的SOI衬底，在SOI衬底上具有多级平行的硅亚微米线结构，其长度与间距均是可控的，横向纳米线桥连在平行的硅亚微米线之间，呈现横向外延生长模式，晶向一致可控且分布密度提高，有效解决了现有技术制备出来的横向纳米线结构密度稀疏、晶向杂乱等关键问题。 | ||
| 搜索关键词： | iii 化合物 横向 纳米 结构 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种III‑V族化合物横向纳米线结构，其特征在于，包括：p型SOI衬底，p型SOI衬底的最上层为顶层硅，该顶层硅形成的多级平行的硅亚微米线；以及桥连在相邻两硅亚微米线之间的III‑V族化合物纳米线。
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