[发明专利]一种射频LDMOS的薄栅结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710112033.9 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107086246B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 赵杨杨;刘洪军;王佃利;应贤炜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明是一种射频LDMOS的薄栅结构及其制备方法，其特征在于，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，在栅氧化层表面形成PolySi/SiO |
||
| 搜索关键词： | 一种 射频 ldmos 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种射频LDMOS的薄栅结构，其特征在于，对于亚微米栅的射频LDMOS器件，在栅氧化层表面形成PolySi/SiO2栅结构，经过栅自对准掺杂后，去除PolySi上面的SiO2层，形成PolySi薄栅结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710112033.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
