[发明专利]包覆模制芯片规模封装在审
| 申请号： | 201710102451.X | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN107154361A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·布尔迈斯特;梁志豪;李志刚;赵玉君;卡伦·基希海默尔;汉斯-马丁·瑞特 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 麦善勇,张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种封装半导体装置的方法。所述方法包括将晶片放置在载体上，使得所述晶片的背面朝上且正面朝下，且所述晶片非永久性地附着于所述载体的表面；执行光刻以标记所述晶片的所述背面上的待蚀刻的区域；从所述晶片的所述背面蚀刻所述经标记的区域，由此形成沟槽，所述沟槽标记所述晶片上的单独装置的边界；在所述晶片的所述背面上涂覆保护性涂层，由此用保护性化合物填充所述晶片的所述沟槽和整个背面；以及从所述晶片上剪切所述单独装置。 | ||
| 搜索关键词： | 包覆模制 芯片 规模 封装 | ||
【主权项】：
一种封装半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：(a)将晶片放置在载体上，使得所述晶片的背面朝上且正面朝下，且所述晶片非永久性地附着于所述载体的表面；(b)执行光刻以标记所述晶片的所述背面上的待蚀刻的区域；(c)从所述晶片的所述背面蚀刻所述经标记的区域，由此形成沟槽，所述沟槽标记所述晶片上的单独装置的边界的；(d)在所述晶片的所述背面上涂覆保护性涂层，由此用保护性化合物填充所述晶片的所述沟槽和整个背面；以及(e)从所述晶片上剪切所述单独装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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