[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710102186.5 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN107275303A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 八甫谷明彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式的半导体装置具备导电部、绝缘层、分子接合层和金属镀层。上述绝缘层具有使上述导电部的至少一部分露出的露出部。上述分子接合层至少设置于上述绝缘层的表面上。上述金属镀层通过上述分子接合层与上述绝缘层的表面接合。上述分子接合层的至少一部分与上述绝缘层中包含的绝缘原材料发生了化学键合。上述分子接合层的至少一部分与上述金属镀层中包含的金属发生了化学键合。上述金属镀层通过上述露出部而与上述导电部电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具备：导电部；绝缘层，其具有使所述导电部的至少一部分露出的露出部；分子接合层，其至少设置于所述绝缘层的表面上；和金属镀层，其通过所述分子接合层而与所述绝缘层的表面接合，其中，所述分子接合层的至少一部分与所述绝缘层中包含的绝缘原材料化学键合，所述分子接合层的至少一部分与所述金属镀层中包含的第1金属化学键合，所述金属镀层通过所述露出部与所述导电部电连接。
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