[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

本申请案涉及一种半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置具有第1结构体、第2结构体及多个布线。第1及第2结构体在第1方向隔离，在第2方向延伸。多个布线设在第1与第2结构体之间，在第2方向延伸，沿第3方向相互隔离排列。第3方向对包含第1及第2方向的平面交叉。第1及第2结构体具有绝缘构件、柱状体及绝缘膜。绝缘构件及柱状体沿第2方向交替排列，在第3方向延伸。绝缘膜设在柱状体与第1布线之间。柱状体具有第1、第2半导体构件及电极。第1及第2半导体构件沿第1方向相互隔离，在第3方向延伸。电极设在第1半导体构件与各第1布线之间。第1结构体的绝缘构件及第2结构体的绝缘构件与多个第1布线相接。

主权项

一种半导体存储装置，具有：第1结构体及第2结构体，在第1方向上隔离，且在相对所述第1方向交叉的第2方向上延伸；及复数个布线，设置在所述第1结构体与所述第2结构体之间，在所述第2方向上延伸，且沿着相对包含所述第1方向及所述第2方向的平面交叉的第3方向相互隔离地排列；所述第1结构体及所述第2结构体分别具备：绝缘构件及柱状体，沿着所述第2方向交替地排列，且在所述第3方向上延伸；及绝缘膜，设置在所述柱状体与所述布线之间；所述柱状体具备：第1半导体构件及第2半导体构件，沿着所述第1方向相互地隔离，且在所述第3方向上延伸；及电极，设置在所述第1半导体构件与各所述布线之间；所述第1结构体的所述绝缘构件及所述第2结构体的所述绝缘构件是与所述复数个布线相接。