[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具有：

第1结构体及第2结构体，在第1方向上隔离，且在相对所述第1方向交叉的第2方向上延伸；及

复数个布线，设置在所述第1结构体与所述第2结构体之间，在所述第2方向上延伸，且沿着相对包含所述第1方向及所述第2方向的平面交叉的第3方向相互隔离地排列；

所述第1结构体及所述第2结构体分别具备：

绝缘构件及柱状体，沿着所述第2方向交替地排列，且在所述第3方向上延伸；及

绝缘膜，设置在所述柱状体与所述布线之间；

所述柱状体具备：

第1半导体构件及第2半导体构件，沿着所述第1方向相互地隔离，且在所述第3方向上延伸；及

电极，设置在所述第1半导体构件与各所述布线之间；

所述第1结构体的所述绝缘构件及所述第2结构体的所述绝缘构件是与所述复数个布线相接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述复数个布线中的一个布线与所述第1结构体的所述绝缘构件及所述第2结构体的所述绝缘构件两者相接。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其更具有：

第2布线，连接于所述第1半导体构件；及

第3布线，连接于所述第2半导体构件。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述绝缘膜也设置在所述柱状体与所述绝缘构件之间。

5.一种半导体存储装置，具有：

第1布线及第2布线，在第1方向上隔离，且在相对所述第1方向交叉的第2方向上延伸；

第1绝缘构件及第2绝缘构件，设置在所述第1布线与所述第2布线之间，在所述第2方向上隔离，且在相对包含所述第1方向及所述第2方向的平面交叉的第3方向上延伸；

半导体构件，设置在所述第1绝缘构件与所述第2绝缘构件之间；

第1电极，设置在所述半导体构件与所述第1布线之间；

第2电极，设置在所述半导体构件与所述第2布线之间；及

第3绝缘构件，配置在所述半导体构件内，且与所述第1绝缘构件及所述第2绝缘构件连结。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其更具有设置在所述半导体构件与所述第1电极之间、所述半导体构件与所述第2电极之间、所述半导体构件与所述第1绝缘构件之间、所述半导体构件与所述第2绝缘构件之间、及所述半导体构件与所述第3绝缘构件之间的绝缘膜。

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中在所述第3方向上，所述第3绝缘构件未将所述半导体构件贯通。

8.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中在所述第3方向上，所述第3绝缘构件将所述半导体构件贯通。

9.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中在所述第1绝缘构件内形成有气隙。

10.一种半导体存储装置的制造方法，具备如下步骤：

在衬底上，通过使第1绝缘膜与第1牺牲膜交替地积层而形成积层体；

在所述积层体，形成在第1方向上延伸的沟槽；

通过经由所述沟槽将所述第1牺牲膜的一部分去除，而在所述沟槽的侧面形成在所述第1方向上延伸的凹部；

在所述凹部的内面形成绝缘膜；

在所述凹部内形成电极；

在所述沟槽内嵌入半导体构件；

通过在所述积层体形成孔，而将所述半导体构件及所述电极沿着所述第1方向截断；

在所述孔内嵌入绝缘构件；

在所述积层体形成贯通孔；

通过经由所述贯通孔将所述第1牺牲膜的剩余部分去除，而在所述第1绝缘膜间形成空间；及

在所述空间内形成布线。