[发明专利]半导体装置与制造半导体存储器装置的方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置，其包含半导体基板，沿第一维度及沿正交于所述第一维度的第二维度在所述半导体基板上配置的多个存储单元，其中所述多个存储单元中的每一存储单元包含在所述半导体基板中的通道区域、在所述通道区域上的隧穿介电层，以及在所述隧穿介电层上的第一电极层。沿所述第一维度，所述多个存储单元中的每一存储单元的所述通道区域借由对应的第一气隙与所述多个存储单元中的邻近存储单元的所述通道区域分隔，每一第一气隙自所述半导体基板的上表面下方延伸直至电极间介电层。

主权项

1.一种半导体装置，包括：半导体基板；多个存储单元，在所述半导体基板上沿第一维度及沿正交于所述第一维度的第二维度配置，其中所述多个存储单元中的每一存储单元包括在所述半导体基板中的通道区、在所述通道区上的隧穿介电层、在所述隧穿介电层上的第一电极层以及沿所述第一维度跨越所述多个存储单元中的每一存储单元连续延伸的电极间介电层，且其中沿所述第一维度，所述多个存储单元中的每一存储单元的所述通道区借由对应的第一气隙与所述多个存储单元中的相邻存储单元的所述通道区分隔，每一第一气隙自所述半导体基板的上表面下方延伸至所述电极间介电层，其中所述第一气隙自所述半导体基板的上表面下方延伸直至并超出所述隧穿介电层的上表面，并具有自所述电极间介电层的底部表面至所述半导体基板的上表面的约23纳米或更小的高度。