[发明专利]深硅刻蚀方法及硅基MEMS运动传感器的制造方法有效
| 申请号： | 201710068614.7 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN106829853B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 陈跃华;熊磊;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括如下步骤：步骤11、采用光刻工艺硅晶圆上定义出需要刻蚀的区域；步骤12、采用BOSCH刻蚀工艺对定义的区域进行深硅刻蚀；步骤13、进行光刻胶的干法剥离工艺，干法剥离工艺温度设定到避免聚合物产生硬化的低温范围；步骤14、进行光刻胶的湿法剥离工艺。本发明还公开了一种硅基MEMS运动传感器的制造方法。本发明能降低聚合物残留以及防止沟槽两侧的电极片粘合在一起，从而能提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 mems 运动 传感器 制造 | ||
【主权项】：
1.一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤11、采用光刻工艺硅晶圆上定义出需要刻蚀的区域；步骤12、采用BOSCH刻蚀工艺对定义的区域进行深硅刻蚀；步骤13、进行光刻胶的干法剥离工艺，所述干法剥离工艺的温度设定到避免所述BOSCH刻蚀工艺形成的聚合物产生硬化的低温范围；所述干法剥离工艺的温度范围为80℃～140℃；步骤14、进行光刻胶的湿法剥离工艺，所述湿法剥离工艺对未硬化的所述聚合物进行完全去除，防止聚合物残留在器件中产生缺陷；多片所述硅晶圆同时进行所述湿法剥离工艺，多片所述硅晶圆放置在同一载片架上，相邻两片所述硅晶圆的间距要求保证使各所述硅晶圆在所述湿法剥离工艺得到充分处理；相邻两片所述硅晶圆的间距大于一个载片槽的间距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710068614.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
