[发明专利]TFT基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板及其制作方法。本发明的TFT基板的制作方法，采用底栅极结构制作TFT基板，整个制程使用七道光罩完成，与现有技术相比，有效减少了光罩的使用数量，简化了TFT基板的制作流程，同时有效提升产品良率，提高产能；通过对半导体图案的两端进行离子重掺杂形成源极与漏极，不仅可以减少工艺流程，而且制得的源极与漏极无需经过层间介电层的过孔与有源层两端接触，可有效降低接触电阻，提高产品良率。本发明的TFT基板，采用底栅极结构，整个TFT基板使用七道光罩即可制作完成，与现有技术相比，光罩的使用数量较少，TFT基板的制作流程简单，且产品良率与产能较高。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积第一导电层(19)，采用第一道光罩(11)对所述第一导电层(19)进行图形化处理，得到栅极(20)；步骤2、在所述栅极(20)与衬底基板(10)上沉积栅极绝缘层(30)，在所述栅极绝缘层(30)上形成半导体层(35)，采用第二道光罩(12)对所述半导体层(35)进行图形化处理，得到半导体图案(35’)；步骤3、在所述半导体图案(35’)及栅极绝缘层(30)上形成光阻层(55)，采用第三道光罩(13)对所述光阻层(55)进行曝光显影，得到对应位于半导体图案(35’)中间区域上方的光阻图案(551)，所述光阻图案(551)的纵剖面呈梯形；以该光阻图案(551)为掩膜板，对半导体图案(35’)进行离子重掺杂处理，在所述半导体图案(35’)上形成位于两端的源极(51)及漏极(52)、及位于源极(51)和漏极(52)之间的有源层(40)；步骤4、对所述光阻图案(551)进行干蚀刻处理，减薄所述光阻图案(551)的厚度，从而暴露出所述有源层(40)的两端；以蚀刻后的光阻图案(551)为掩膜板，对所述有源层(40)的两端进行离子轻掺杂处理，在所述有源层(40)上形成位于两端且分别与所述源极(51)和漏极(52)相连接的两个离子轻掺杂半导体层(42)、以及位于两个离子轻掺杂半导体层(42)之间的沟道区半导体层(41)；步骤5、去除蚀刻后的光阻图案(551)，在所述有源层(40)、源极(51)、漏极(52)、及栅极绝缘层(30)上沉积第一钝化层(60)，在所述第一钝化层(60)上沉积平坦层(70)，采用第四道光罩(14)对所述第一钝化层(60)与平坦层(70)进行图形化处理，在所述第一钝化层(60)与平坦层(70)上形成对应于所述漏极(52)上方的第一过孔(71)；步骤6、在所述平坦层(70)上沉积第一透明导电膜层(75)，采用第五道光罩(15)对所述第一透明导电膜层(75)进行图形化处理，得到公用电极(80)；步骤7、在所述公用电极(80)与平坦层(70)上沉积第二钝化层(90)，采用第六道光罩(16)对所述第二钝化层(90)进行图形化处理，在所述第二钝化层(90)上形成对应于所述漏极(52)上方且位于第一过孔(71)内的第二过孔(92)；步骤8、在所述第二钝化层(90)上沉积第二透明导电膜层(95)，采用第七道光罩(17)对所述第二透明导电膜层(95)进行图形化处理，得到像素电极(91)，所述像素电极(91)经由所述第二过孔(92)与所述漏极(52)相连接。