[发明专利]一种III族氮化物衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201710030646.8 | 申请日： | 2017-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN106835268A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王峰 | 申请（专利权）人： | 苏州瑞而美光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/02;C30B29/38;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 范晴,丁浩秋 |
| 地址： | 215221 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III族氮化物衬底的制备方法，包括选用碳化硅衬底作为基体，在一定真空度下，通过RF射频将SiC衬底加热至1400～1650℃，在外延热分解过程中通入Ar/H2混合气作为载气，在SiC衬底的碳面或硅面外延生长多层石墨烯层；在多层石墨烯层表面沉积生长III族氮化物成核层；在III族氮化物成核层的表面生长厚层III族氮化物；通过机械剥离法剥离SiC基体，对剥离掉SiC基体的III族氮化物薄片的表面进行研磨抛光，获得III族氮化物衬底。可以在SiC衬底的碳面或硅面外延生长大面积、高质量的多层石墨烯层，生长高质量的III族氮化物成核层。得到氮化物衬底片应力小、缺陷密度低、晶体质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 氮化物 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）选用碳化硅（SiC）衬底作为基体，在10‑6～10‑8Torr真空度下，通过RF射频将SiC衬底加热至850～1650℃，在外延热分解过程中通入惰性气体或惰性气体与H2混合气作为载气，在SiC衬底的碳面或硅面外延生长多层石墨烯层；（2）在多层石墨烯层表面沉积生长III族氮化物成核层；（3）在III族氮化物成核层的表面生长厚层III族氮化物；（4）通过机械剥离法剥离SiC基体，对剥离掉SiC基体的III族氮化物薄片的表面进行研磨抛光，获得III族氮化物衬底。
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