[发明专利]一种超结器件耐压层的制备方法在审
| 申请号： | 201710028090.9 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106816376A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨尊松;王立新;罗小梦;宋李梅;肖超;陆江;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件耐压层的制备方法，包括在衬底材料上生长并刻蚀第一外延材料，以在第一外延材料上形成相互间隔的N个第一沟槽；用第二外延材料填充N个第一沟槽，第二外延材料的掺杂类型与第一外延材料的掺杂类型不相同；抛光第二外延材料；在光滑表面上生长并刻蚀第一外延材料，以形成与N个第一沟槽一一对齐的N个第二沟槽；用所述第二外延材料填充所述N个第二沟槽，以与之前填充的所述第二外延材料对齐连通，形成交替设置的多对P型和N型立柱。本发明提供的器件，用以解决现有技术中缺乏高质量的高深宽比的超结耐压层的制备方法的技术问题。提供了一种高深宽比的超结耐压层的高可靠性制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 耐压 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超结器件耐压层的制备方法，其特征在于，包括：在衬底材料上生长并刻蚀第一外延材料，以在所述第一外延材料上形成相互间隔的N个第一沟槽，N为正整数；用第二外延材料填充所述N个第一沟槽，所述第二外延材料的掺杂类型与所述第一外延材料的掺杂类型不相同；抛光所述第二外延材料，至露出交替分布有所述第一外延材料和所述第二外延材料的光滑表面；在所述光滑表面上生长并刻蚀所述第一外延材料，以形成与所述N个第一沟槽一一对齐的N个第二沟槽；用所述第二外延材料填充所述N个第二沟槽，以与之前填充的所述第二外延材料对齐连通，形成交替设置的多对P型和N型立柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
