[发明专利]用于层结构的制造方法和层结构在审
| 申请号： | 201710022554.5 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN107039240A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | F·普尔科;F·罗尔夫林;R·罗埃尔维尔;T·卢茨 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/13;H01L23/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于层结构(10；20；30；40；50；60；70)的制造方法，其具有步骤提供(Sl)基底(1；l′)，其中，基底(1；1′)的至少一个上侧(la)包括不能导电的材料；在基底(1；1′)的上侧(la)上沉积(S2)催化结构(2；2')；在催化结构(2；2')上沉积(S3)石墨结构(3)；和至少部分地去除(S4)处于基底(1；1')和石墨结构(3)之间的催化结构(2；2')。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
用于层结构(10；20；30；40；50；60；70)的制造方法，其具有步骤：提供(Sl)基底(1；l′)，其中，基底(1；1′)的至少一个上侧(la)包括不能导电的材料；在基底(1；1′)的上侧(la)上沉积(S2)催化结构(2；2')；在催化结构(2；2')上沉积(S3)石墨结构(3)；和至少部分地去除(S4)处于基底(1；1')和石墨结构(3)之间的催化结构(2；2')。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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