[发明专利]双栅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201710008241.4 申请日: 2017-01-05
公开(公告)号: CN106684155B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 曲连杰;白金超 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种双栅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置。该双栅薄膜晶体管包括:衬底基板和依次设置在衬底基板上的第一栅极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、第一电极、第二电极、第二栅极及连接电极,其中,所述第二栅极和第一电极、第二电极同层形成;所述第一栅绝缘层包括暴露一部分第一栅极的第一过孔,所述连接电极与第二栅极电连接且通过第一过孔与第一栅极电连接。该双栅薄膜晶体管,通过一道光刻工艺同时形成第一电极、第二电极和第二栅极,通过透明连接电极电连接第一栅极和第二栅极实现双栅结构,从而减少膜层和掩膜数量,缩短生产时间,降低生产成本,有效提升产能,提高薄膜晶体管的稳定性,优化薄膜晶体管的响应速度。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置
【主权项】:
一种双栅薄膜晶体管,包括:衬底基板;第一栅极,设置在所述衬底基板上;第一栅绝缘层,设置在所述第一栅极上,所述第一栅绝缘层包括暴露一部分所述第一栅极的第一过孔;有源层,设置在所述第一栅绝缘层上,所述有源层与所述第一栅极在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠设置;第二栅绝缘层,设置在所述有源层上;第一电极和第二电极,设置为与所述有源层接触;第二栅极,设置在所述第二栅绝缘层上,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第二栅极与所述有源层至少部分重叠,所述第二栅极和所述第一电极、第二电极同层形成;连接电极,所述连接电极与所述第二栅极电连接且通过所述第一过孔与所述第一栅极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710008241.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top