[发明专利]双栅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201710008241.4 | 申请日: | 2017-01-05 |
公开(公告)号: | CN106684155B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 曲连杰;白金超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种双栅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置。该双栅薄膜晶体管包括:衬底基板和依次设置在衬底基板上的第一栅极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、第一电极、第二电极、第二栅极及连接电极,其中,所述第二栅极和第一电极、第二电极同层形成;所述第一栅绝缘层包括暴露一部分第一栅极的第一过孔,所述连接电极与第二栅极电连接且通过第一过孔与第一栅极电连接。该双栅薄膜晶体管,通过一道光刻工艺同时形成第一电极、第二电极和第二栅极,通过透明连接电极电连接第一栅极和第二栅极实现双栅结构,从而减少膜层和掩膜数量,缩短生产时间,降低生产成本,有效提升产能,提高薄膜晶体管的稳定性,优化薄膜晶体管的响应速度。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种双栅薄膜晶体管,包括:衬底基板;第一栅极,设置在所述衬底基板上;第一栅绝缘层,设置在所述第一栅极上,所述第一栅绝缘层包括暴露一部分所述第一栅极的第一过孔;有源层,设置在所述第一栅绝缘层上,所述有源层与所述第一栅极在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠设置;第二栅绝缘层,设置在所述有源层上;第一电极和第二电极,设置为与所述有源层接触;第二栅极,设置在所述第二栅绝缘层上,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第二栅极与所述有源层至少部分重叠,所述第二栅极和所述第一电极、第二电极同层形成;连接电极,所述连接电极与所述第二栅极电连接且通过所述第一过孔与所述第一栅极电连接。
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