[发明专利]用于沉积氮化硅膜的组合物和方法

摘要

本文描述了组合物、氮化硅膜和使用至少一种环二硅氮烷前体形成氮化硅膜的方法。在一个方面中，提供了一种形成氮化硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应器中提供衬底；向所述反应器内引入至少一种包含烃离去基团和两个Si‑H基团的环二硅氮烷，其中该至少一种环二硅氮烷在至少一部分所述衬底的表面上反应以提供化学吸附层；采用吹扫气体吹扫所述反应器；向所述反应器内引入包含氮和惰性气体的等离子体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点，其中所述等离子体以约0.01至约1.5W/cm2范围的功率密度生成。

主权项

一种在衬底的至少一个表面上形成氮化硅膜的方法，所述方法包括：a.在反应器中提供衬底；b.向所述反应器内引入环二硅氮烷前体，所述环二硅氮烷前体包含烃离去基团和至少两个Si‑H基团，并由以下式A所表示：其中R选自支链C4‑C10烷基；R1、R2、R3、R4独立地选自氢、直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C3‑C6烯基、直链或支链C3‑C6炔基、C1‑C6二烷基氨基、C6‑C10芳基、吸电子基团、C4‑C10芳基和卤原子，其中所述至少一种环二硅氮烷在至少一部分所述衬底的表面上反应以提供化学吸附层；c.采用吹扫气体吹扫所述反应器；d.向所述反应器内引入含等离子体源和惰性气体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点，其中所述等离子体以约0.01至约1.5W/cm2范围的功率密度生成；和e.任选地，采用惰性气体吹扫所述反应器；并且其中重复所述步骤b至e直至获得期望的氮化硅膜厚度。