[发明专利]热固化性粘接片及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201680017136.0 申请日: 2016-03-29
公开(公告)号: CN107431003B 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 森大地 申请(专利权)人: 迪睿合株式会社
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301;C09J7/35;C09J133/00;C09J171/00;C09J11/08;C09J11/06;C09J7/10;C09J7/20;H01L21/304;H01L21/683
代理公司: 北京挚诚信奉知识产权代理有限公司 11338 代理人: 邢悦;王永辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种能够减小半导体晶片的翘曲的热固化性粘接片以及半导体装置的制造方法。将热固化性粘接片在切割前贴合于半导体晶片的研磨面且使之固化,上述热固化性粘接片含有包含弹性体的聚合物、全部(甲基)丙烯酸酯中包含超过95wt%的多官能(甲基)丙烯酸酯的(甲基)丙烯酸酯、1分钟半衰期温度为130℃以下的有机过氧化物、和光透过性填料。由此,热固化性粘接片大幅收缩,产生与半导体晶片的翘曲相反方向的应力,因此能够使半导体晶片维持为平坦的状态。
搜索关键词: 固化 性粘接片 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种热固化性粘接片,其是在切割半导体晶片时贴合于该半导体晶片的研磨面的热固化性粘接片,含有:包含弹性体的聚合物;全部(甲基)丙烯酸酯中包含超过95wt%的多官能(甲基)丙烯酸酯的(甲基)丙烯酸酯;1分钟半衰期温度为130℃以下的有机过氧化物;和光透过性填料。
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