[发明专利]有机半导体元件及其制造方法、化合物、有机半导体组合物和有机半导体膜及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680014948.X 申请日: 2016-03-16
公开(公告)号: CN107431125B 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 北村哲;山本阳介;玉国史子;滋野井悠太;后藤崇;渡边哲也 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H01L51/30 分类号: H01L51/30;C08L65/00;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05
代理公司: 11127 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 庞东成;张志楠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于:提供载流子迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体元件及其制造方法;提供适合作为有机半导体的新颖化合物;以及提供迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体膜及其制造方法、以及能够适当地形成上述有机半导体膜的有机半导体组合物。本发明的有机半导体元件的特征在于,其具有含有下述化合物的有机半导体层,该化合物具有式1所表示的重复结构单元、分子量为2,000以上。
搜索关键词: 有机半导体 元件 及其 制造 方法 化合物 组合
【主权项】:
1.一种有机半导体元件,其特征在于,其具有含有下述化合物的有机半导体层,该化合物具有式1所表示的重复结构单元,该化合物的分子量为2,000以上,/n【化1】/n
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