[实用新型]一种高浪涌沟槽式PN结肖特基芯片有效
| 申请号： | 201620872256.6 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN206098400U | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 薛涛;关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高浪涌沟槽式PN结肖特基芯片，属于半导体器件制造领域。设置有外延层（4），其特征在于在外延层（4）的上表面设置有多个沟槽，沟槽的底部以及侧壁的下部设置有与外延层（4）形成PN结的反型区，在沟槽内填充有多晶硅（1），在外延层（4）的上表面、多晶硅（1）的上表面以及沟槽侧壁的上部同时形成肖特基界面（3）。在本高浪涌沟槽式PN结肖特基芯片中，兼顾了芯片的耐压能力以及导电面积，同时提高了芯片的防正向浪涌能力，当产品正常工作时正向压降为0.6V以下，达不到PN结的开启电压所以PN结不导通，因此P型区起到现有技术种肖特基芯片沟槽内的氧化层的作用，所以不影响二极管的开关速度，同时保证了其耐压强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浪涌 沟槽 pn 结肖特基 芯片 | ||
【主权项】：
一种高浪涌沟槽式PN结肖特基芯片，设置有外延层（4），其特征在于：在外延层（4）的上表面设置有多个沟槽，沟槽的底部以及侧壁的下部设置有与外延层（4）形成PN结的反型区，在沟槽内填充有多晶硅（1），在外延层（4）的上表面、多晶硅（1）的上表面以及沟槽侧壁的上部同时形成肖特基界面（3）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淄博汉林半导体有限公司，未经淄博汉林半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620872256.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
