[实用新型]一种高效率碳化硅肖特基芯片有效
| 申请号： | 201620872244.3 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN205900548U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种高效率碳化硅肖特基芯片，属于半导体器件制作领域。包括外延层（3），在外延层（3）上方设置有若干沟槽（5），其特征在于在沟槽（5）的底部设置有与外延层（3）半导体类型相反的反型区，在沟槽（5）的侧壁以及外延层（3）的上表面形成肖特基界面（2），在肖特基界面（2）表面设置金属层（1）。在本高效率碳化硅肖特基芯片中，未设置氧化层，因此同时省略了对外延层的氧化步骤，所以未对相邻两沟槽之间的间距造成影响，使得肖特基芯片的导电面积不受影响，并且在沟槽的侧壁上同时形成肖特基界面，相比较现有技术的肖特基芯片，增加了导电面积，从而保证了本高效率碳化硅肖特基芯片导通时的正向压降，保证了芯片的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效率 碳化硅 肖特基 芯片 | ||
【主权项】：
一种高效率碳化硅肖特基芯片，包括外延层（3），在外延层（3）上方设置有若干沟槽（5），其特征在于：在沟槽（5）的底部设置有与外延层（3）半导体类型相反的反型区，在沟槽（5）的侧壁以及外延层（3）的上表面形成肖特基界面（2），在肖特基界面（2）表面设置金属层（1）。
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