[实用新型]基于局部氧化工艺的双肖特基势垒二极管有效
| 申请号： | 201620603530.X | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN205810823U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 基于局部氧化工艺的双肖特基势垒二极管，属于半导体制造技术领域。其特征在于：包括衬底（5），在衬底（5）的上方为外延层（4），在外延层（4）的上表面并排设置有若干沟槽，在外延层（4）的上表面设置有顶面肖特基界面（2），在沟槽的内表面形成沟槽肖特基界面（3），顶面肖特基界面（2）和沟槽肖特基界面（3）的上部为顶部金属层（1）。在本基于局部氧化工艺的双肖特基势垒二极管中，通过不同材质形成了顶面肖特基界面和沟槽肖特基界面，当对芯片施加正向小电流信号时，顶面肖特基界面首先导通，实现了低导通压降的效果，随着正向电流的不断加大，沟槽肖特基界面随之导通，这样大大增加了产品大电流下的导通能力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 局部 氧化 工艺 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
一种基于局部氧化工艺的双肖特基势垒二极管，其特征在于：包括衬底（5），在衬底（5）的上方为外延层（4），在外延层（4）的上表面并排设置有若干沟槽，在外延层（4）的上表面设置有顶面肖特基界面（2），在沟槽的内表面形成沟槽肖特基界面（3），顶面肖特基界面（2）和沟槽肖特基界面（3）的上部为顶部金属层（1）。
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