[实用新型]一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪

摘要

本实用新型涉及一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪，包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、PCB板、测试连接端口和设置在所述壳体上的LCD显示模块与操作钮；本实用新型中的手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪采用可循环充电锂电池供电，并配备有常用封装的功率MOSFET测试夹具，工程技术人员只需要将装载有高电压功率MOSFET的测试夹具插入测量接口，按下测量按钮即可测量高电压功率MOSFET的Ciss、Coss、Crss、Vth及Vds参数并在面板的LCD显示屏显示测量所得数据；整个测量过程方便、快捷、及时、准确、高效。手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪性价比高、易推广，在产品选型、产品设计的过程中为工程技术人员提供有价值的依据。

主权项

一种手持式自适应高电压功率MOSFET参数测量仪，其特征在于：包括壳体、设置在壳体中的锂电池组、PCB板、测试连接端口和设置在所述壳体上的LCD显示模块与操作钮；所述PCB板上设有锂电池管理单元、LDO‑A单元、LDO‑B单元、1MHz信号源单元、DC/DC升压电源单元、自动平衡电桥模块、自由轴矢量发生器、信号调理单元和MCU模块；所述锂电池组为所述LDO‑A单元、LDO‑B单元和DC/DC升压电源单元供电，所述LDO‑A单元分别为所述1MHz信号源单元、自动平衡电桥模块和信号调理单元供电，所述LDO‑B单元分别为所述自由轴矢量发生器单元、MCU模块和LCD显示模块供电；所述1MHz信号源单元的信号输出到自动平衡电桥模块，所述自动平衡电桥模块的信号输出到信号调理单元，所述自由轴矢量发生器的信号输出到所述信号调理单元，所述信号调理单元的信号输出到MCU模块，所述MCU模块的信号输出到所述LCD显示模块，所述操作钮连接到所述MCU模块的控制信息输入端，所述MCU模块的控制端连接到所述自动平衡电桥模块，所述测试连接端口连接到所述自动平衡电桥模块；所述DC/DC升压电源单元用于产生直流偏置电压和击穿电压，所述直流偏置电压的可调范围为0V‑55V，所述击穿电压的可调范围为450V‑1100V，所述直流偏置电压和击穿电压分别加载至自动平衡电桥模块。