[实用新型]一种沟槽型CoolMOS有效
| 申请号： | 201620513881.1 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN205828394U | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 周炳 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 215617 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体器件技术领域，一种沟槽型CoolMOS，由下到上依次包括背面金属层、N+衬底、N‑外延层、P‑阱区、n+源区、绝缘层和正面金属层；N+衬底上设置有贯通N+衬底的若干超结沟槽，超结沟槽一端延伸至N‑外延层，超结沟槽内填充有P型硅；P‑阱区设置有贯通P‑阱区和n+源区的若干栅极沟槽，栅极沟槽一端延伸至N‑外延层，栅极沟槽内填充有多晶硅，多晶硅与栅极沟槽之间通过栅氧间隔设置；n+源区设置有贯通n+源区和绝缘层的若干接触孔，接触孔一端延伸至P‑阱区，接触孔内填充有导电金属，且导电金属与正面金属层接触。正面采用栅极沟槽结构，背面挖槽，填充P型硅，达到多次注入扩散P型离子的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 coolmos | ||
【主权项】：
一种沟槽型CoolMOS，其特征在于：由下到上依次包括背面金属层(13)、N+衬底(1)、N‑外延层(2)、P‑阱区(3)、n+源区(7)、绝缘层(8)和正面金属层(10)；所述N+衬底(1)上设置有贯通所述N+衬底(1)的若干超结沟槽(11)，所述超结沟槽(11)一端延伸至所述N‑外延层(2)，所述超结沟槽(11)内填充有P型硅(12)；所述的P‑阱区(3)设置有贯通所述P‑阱区(3)和n+源区(7)的若干栅极沟槽(4)，所述栅极沟槽(4)一端延伸至N‑外延层(2)，所述栅极沟槽(4)内填充有多晶硅(6)，所述多晶硅(6)与栅极沟槽(4)之间通过栅氧(5)间隔设置；所述n+源区(7)设置有贯通所述n+源区(7)和所述绝缘层(8)的若干接触孔(9)，所述接触孔(9)一端延伸至P‑阱区(3)，所述的接触孔(9)内填充有导电金属，且所述导电金属与所述正面金属层(10)接触。
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