[实用新型]包括HEMT结构、双向HEMT或双向HEMT结构的电子器件有效
| 申请号： | 201620382233.7 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN205810818U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | P·莫恩斯;B·帕德玛纳伯翰;H·德维利斯绸威尔;P·文卡特拉曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及包括HEMT结构、双向HEMT或双向HEMT结构的电子器件。一种包括HEMT结构的电子器件包括：漏极/源极电极；源极/漏极电极；第一栅极电极，所述第一栅极电极相比于所述源极/漏极电极更靠近所述漏极/源极电极；以及第一屏蔽结构，所述第一屏蔽结构电连接到所述漏极/源极电极并且包括第一部分，所述第一部分限定覆盖在所述第一栅极电极上面的第一开口。根据至少一个实施例，可以提供改进的包括HEMT或双向HEMT的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 hemt 结构 双向 电子器件 | ||
【主权项】：
一种包括HEMT结构的电子器件，其特征在于，所述电子器件包括：漏极/源极电极；源极/漏极电极；第一栅极电极，所述第一栅极电极相比于所述源极/漏极电极更靠近所述漏极/源极电极；以及第一屏蔽结构，所述第一屏蔽结构电连接到所述漏极/源极电极并且包括第一部分，所述第一部分限定覆盖在所述第一栅极电极上面的第一开口。
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