[实用新型]抑制有源沟道区光致漏电流产生的MOS管及有源寻址电路有效
| 申请号： | 201620304944.2 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN205810819U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;张珂;彭灯;王河深;莫炜静;刘熹;黄茂森 | 申请（专利权）人： | 中山大学;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L27/105 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种抑制有源沟道区光致漏电流产生的MOS管及有源寻址电路，该MOS包括衬底，衬底上表面的中部沉积有栅绝缘层，在栅绝缘层上有多晶硅或金属形成栅极，通过离子注入在衬底两端形成的源极和漏极，在栅极、源极与漏极上方沉积有隔离层，源极和漏极上方的隔离层刻蚀有用于引出源极和漏极的接触孔，在源极和漏极的接触孔上沉积有金属，漏极上的金属刻蚀有用于隔离源极和漏极的隔离缺口，源极上的金属直接延伸覆盖过有源沟道区。本实用新型提出的MOS管有效的遮挡了光线，抑制了光致漏电流的产生，既改善了晶体管的关态特性，也提高了有源寻址驱动电路的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 有源 沟道 区光致 漏电 流产 mos 寻址 电路 | ||
【主权项】：
一种抑制有源沟道区光致漏电流产生的MOS管，包括衬底，衬底上表面的中部沉积有栅绝缘层，在栅绝缘层上有多晶硅或金属形成栅极，通过离子注入在衬底两端形成的源极和漏极，其特征在于，在栅极、源极与漏极上方沉积有隔离层，源极和漏极上方的隔离层刻蚀有用于引出源极和漏极的接触孔，在源极和漏极上的接触孔中沉积有金属，漏极上接触孔中金属刻蚀有用于隔离源极和漏极的隔离缺口，源极上的金属直接延伸覆盖过有源沟道区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院，未经中山大学;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620304944.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
