[实用新型]无铜底板功率半导体模块有效
| 申请号： | 201620283409.3 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN205508809U | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 冯亚宁;张意远 | 申请（专利权）人： | 上海美高森美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/15 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 邱江霞 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种无铜底板功率半导体模块，其包括一DBC陶瓷敷铜板和一壳体，所述DBC陶瓷敷铜板与所述壳体密封固接围构形成一空腔。本实用新型采用无铜底板结构，并在所述DBC陶瓷敷铜板的中央预留有单个螺丝孔，提高无铜底板功率半导体模块的散热性，增强无铜底板功率半导体模块的抗热应力性能、可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 底板 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
一种无铜底板功率半导体模块，其特征在于：所述无铜底板功率半导体模块包括一DBC陶瓷敷铜板和一壳体，所述DBC陶瓷敷铜板和所述壳体密封固接围构形成一空腔；所述DBC陶瓷敷铜板的近边缘处设有穿出所述壳体的若干钉头引线，所述DBC陶瓷敷铜板具有一DBC陶瓷层和敷设于所述DBC陶瓷敷层上的若干分离的铜层，所述铜层上设有芯片，所述芯片与邻近的铜层通过连接片连接。
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