[实用新型]一种提高电流扩散的LED芯片有效
| 申请号： | 201620282727.8 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN205645860U | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘英策;陈凯轩;李俊贤;张永;陈亮;魏振东;邬新根;周弘毅;吴奇隆;蔡立鹤;黄新茂 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/14 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种提高电流扩散的LED芯片，涉及LED的生产技术领域。在基板的同一侧设置N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层和透明导电扩散层，其特征在于LED还设置电阻高于透明导电扩散层的透明导电Barrier层，所述N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层、透明导电Barrier层和透明导电扩散层依次设置在基板的同一侧。本实用新型在现有的传统的透明导电层结构基础之上，增加了透明导电Barrier层结构，以改善现有传统的透明导电层结构电流扩展均匀性的问题，使LED芯片的发光效率得以提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电流 扩散 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种提高电流扩散的LED芯片，包括基板，在基板的同一侧设置N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层和透明导电扩散层，其特征在于LED还设置透明导电Barrier层，所述N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层、透明导电Barrier层和透明导电扩散层依次设置在基板的同一侧。
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