[实用新型]一种正装GaN LED芯片有效
| 申请号： | 201620282725.9 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN205645856U | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;李俊贤;吕奇孟;魏振东;刘英策;李小平;黄新茂;陈凯轩;张永;林志伟;姜伟;卓祥景;方天足 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种正装GaN LED芯片，涉及发光二极管LED的生产技术领域。在衬底的同一侧依次各外延层和透明导电层、电流阻挡层，在电流阻挡层上分别布置P电极与P电极连接的P电极扩展条，在电流阻挡层上分别布置N电极与N电极连接的N电极扩展条，在P电极扩展条下方，自电流阻挡层至透明导电层分布若干P电极注入孔道，在N电极扩展条下方，自电流阻挡层至N‑GaN层分布若干N电极流出孔道。在同样尺寸的芯片下，本实用新型能有效地增加的发光面积，减少同驱动电流下的电流密度，减少droop效应，从而达到降低电压，提升亮度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 芯片 | ||
【主权项】：
一种正装GaN LED芯片，包括衬底，在衬底的同一侧依次设置U‑GaN层、N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层、透明导电层和电流阻挡层，在电流阻挡层上分别布置P电极与P电极连接的P电极扩展条，在电流阻挡层上分别布置N电极与N电极连接的N电极扩展条，其特征在于：在P电极扩展条下方，自电流阻挡层至透明导电层分布若干P电极注入孔道，在N电极扩展条下方，自电流阻挡层至N‑GaN层分布若干N电极流出孔道。
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