[实用新型]栅槽交错变化的沟槽栅超结MOSFET器件有效
| 申请号： | 201620257069.7 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN205488137U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;章秀芝;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种栅槽交错变化的沟槽栅超结MOSFET器件，包括横向交错分布的第一纵向结构和第二纵向结构；在每个纵向结构中，包括至少一个元胞；所述元胞包括：N+型衬底，N+型衬底背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极，N+型衬底上生长有N‑型外延层；在元胞的N‑型外延层两侧自顶部向下形成有P型柱深槽结构；在元胞的N‑型外延层顶部中间形成有沟槽栅，在沟槽栅的侧壁和底部形成有起到隔离作用的栅氧层；元胞沟槽栅的栅槽宽度在横向交错分布的第一纵向结构和第二纵向结构中横向交错变化。本实用新型能够降低由栅漏电容突变引起的电磁干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 交错 变化 沟槽 栅超结 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种栅槽交错变化的沟槽栅超结MOSFET器件，其特征在于：包括横向交错分布的第一纵向结构和第二纵向结构；在每个纵向结构中，包括至少一个元胞；所述元胞包括：N+型衬底(1)，N+型衬底(1)背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极，N+型衬底(1)上生长有N‑型外延层(2)；在元胞的N‑型外延层(2)顶部中间形成有沟槽栅(5)，在沟槽栅(5)的侧壁和底部形成有起到隔离作用的栅氧层(4)；元胞沟槽栅(5)的栅槽宽度在横向交错分布的第一纵向结构和第二纵向结构中横向交错变化。
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