[实用新型]具有对准标记的半导体结构有效
| 申请号： | 201620223877.1 | 申请日： | 2016-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN205452277U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 贺开庭;邓国贵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种具有对准标记的半导体结构，包括：半导体衬底；电介质层，位于所述半导体衬底表面；金属层，位于所述电介质层表面；所述金属层内设有沟道；第一对准标记，位于所述沟道内；所述第一对准标记与所述金属层相隔一定的间距，并通过连线层与所述金属层相连接；第二对准标记，位于所述第一对准标记的表面。通过去除部分金属层以在所述金属层内形成由所述金属层本身构成的第一对准标记，所述第一对准标记通过由去除部分所述金属层形成的连线层与位于其周围的所述金属层相连接，第二对准标记形成于所述第一对准标记表面，即保证了所述第一对准标记的实用性，又避免了所述第二对准标记带电情况的发生，进而提高了CD‑SEM量测的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 标记 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种具有对准标记的半导体结构，其特征在于，所述具有对准标记的半导体结构至少包括：半导体衬底；电介质层，位于所述半导体衬底表面；金属层，位于所述电介质层表面；所述金属层内设有沟道；第一对准标记，位于所述沟道内；所述第一对准标记与所述金属层相隔一定的间距，并通过连线层与所述金属层相连接；第二对准标记，位于所述第一对准标记的表面。
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