[实用新型]一种等离子体辅助感应加热法制备石墨烯的装置有效
申请号: | 201620094752.3 | 申请日: | 2016-02-01 |
公开(公告)号: | CN205368492U | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 渠洪波 | 申请(专利权)人: | 沈阳科友真空技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型提供一种等离子体辅助感应加热法制备石墨烯的装置,涉及一种石墨烯的制备装置技术领域。该实用新型包括机架、微波源、耦合腔、真空室、感应线圈和工件架,微波源位于机架的上方,耦合腔设置在微波源的左侧,耦合腔的底端设置有真空室,真空室设置在机架上,真空室内设置有工件架,工件架的周围缠绕有感应线圈。本实用新型在化学气相沉积过程中,通过感应线圈加热工件,并使用微波产生等离子体,通过热能与离子轰击能量的共同作用,使反应气体产生化学反应,制备石墨烯材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 辅助 感应 加热 法制 石墨 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体辅助感应加热法制备石墨烯的装置,其特征在于,包括机架、微波源、耦合腔、真空室、感应线圈和工件架,所述微波源位于所述机架的上方,所述耦合腔设置在所述微波源的左侧,所述耦合腔的底端设置有所述真空室,所述真空室设置在所述机架上,所述真空室内设置有工件架,所述工件架的周围缠绕有所述感应线圈。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的