[发明专利]n型III族氮化物半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201611261898.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269731A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 张育民;王建峰;徐科;任国强;徐俞;蔡德敏;胡晓剑 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种n型III族氮化物半导体材料及其制备方法，所述n型III族氮化物半导体材料掺杂有第一掺杂源X和第二掺杂源Y，第一掺杂源X和第二掺杂源Y选自第IV族和第VI族中的元素。本发明的n型III族氮化物半导体材料具有多施主共掺的多种掺杂元素，避免了单一施主杂质源气体浓度过高导致的样品表面钝化和孔洞等问题，又通过多种杂质源掺杂产生的载流子之和，共同提供n型III族氮化物半导体材料内的载流子，达到器件对于n型III族氮化物半导体材料衬底电学性能的影响，制备出高质量n型III族氮化物半导体材料自支撑衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂源 载流子 制备 衬底 孔洞 材料掺杂 掺杂元素 电学性能 施主杂质 样品表面 第IV族 源气体 杂质源 自支撑 钝化 共掺 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种n型III族氮化物半导体材料，其特征在于，所述n型III族氮化物半导体材料中掺杂有第一掺杂源X和第二掺杂源Y，所述第一掺杂源X和第二掺杂源Y选自第IV族和第VI族中的元素；所述第一掺杂源X的含量大于10％S，所述第二掺杂元Y的含量大于10％S，且所述第一掺杂源X和第二掺杂源Y的含量之和小于等于100％S，所述S为总的n型元素掺杂量，所述n型III族氮化物半导体材料的厚度不小于15μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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