[发明专利]一种金属化学机械抛光的方法有效
| 申请号： | 201611250890.7 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106783580B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 钟旻 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属化学机械抛光的方法，该方法具体包括:在具有观察组件的腔体内提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成一介电层，在所述介电层中形成凹槽，所述凹槽分别位于所述半导体衬底的P型区域与N型区域上；在所述介电层上形成一金属层，所述金属层填充满所述介电层中的所述凹槽；降低所述腔体内的光照强度至小于10勒克斯，对所述凹槽进行化学机械抛光，移除所述介电层上的所述金属层。本发明通过降低化学机械抛光时腔体内的光照强度，有效避免了金属的光致阳极腐蚀现象，减少了金属表面的下陷，提高了器件性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种金属材料化学机械抛光的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在具有观察组件的腔体内提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成一介电层，在所述介电层中形成凹槽，所述凹槽分别位于所述半导体衬底的P型区域与N型区域上；S2:在所述介电层上形成一金属层，所述金属层填充满所述介电层中的所述凹槽；S3：降低所述腔体内的光照强度至小于10勒克斯，对所述凹槽进行化学机械抛光，移除所述介电层上的所述金属层；从而避免金属光致阳极腐蚀，减少金属凹槽表面的下陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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