[发明专利]III族氮化物衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201611247232.2 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106783579B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王建峰;徐科;张育民;王明月;任国强;徐俞 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种III族氮化物衬底，所述衬底的III族元素面与氮面之间的阴极荧光谱的发光强度之差低于III族元素面发光强度的50％。本发明还提供了一种III族氮化物衬底的制备方法，包括如下步骤：提供一III族氮化物衬底；沿平行于所述衬底的III族元素面的方向切割所述衬底，以获得一被切割面为氮面的III族氮化物衬底；取所述被切割面为氮面的III族氮化物衬底，采用湿法腐蚀的方法去除切割形成的表面损伤层。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物衬底，其特征在于，所述衬底的III族元素面与氮面之间的阴极荧光谱的发光强度之差低于III族元素面发光强度的50％，其中，所述III族元素面为外延生长面，所述氮面的表面具有晶粒状突起，所述晶粒状突起为湿法腐蚀所形成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
