[发明专利]含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201611221303.1 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106783968A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 郑彤,万志香 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层的上部的包括氮镓铝层和氮镓铟层的缓冲层以及设在该缓存层上部的Ⅲ族氮化物外延层。本发明通过设置包括氮镓铝层和氮镓铟层的缓冲层，有效缓解Ⅲ族氮化物外延层与衬底之间的晶格失配和热失配，而且因为在缓冲层中层叠设置氮镓铟层，使缓冲层中生长的氮镓铝层处于压应变状态，抑制了氮镓铝层随着厚度增加产生的较多的位错缺陷和较大的内应力，进而可以得到高质量的Ⅲ族氮化物外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 氮镓铝 氮镓铟 缓存 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件，其特征在于，包括：衬底；籽晶层，所述籽晶层设在所述衬底的上部；缓冲层，所述缓冲层设置在所述籽晶层的上部，所述缓冲层包括氮镓铝层和氮镓铟层；以及Ⅲ族氮化物外延层，所述Ⅲ族氮化物外延层设置在所述缓冲层的上部。
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