[发明专利]用于热退火的方法以及通过该方法形成的半导体器件有效
| 申请号： | 201611205286.2 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN107039256B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·布里梅塞尔;斯特凡·沃斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/324;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于热退火的方法和通过该方法形成的半导体器件。根据多个不同的实施方案，一种方法可以包括：对半导体区域进行结构化以形成半导体区域的结构化的表面；在半导体区域中布置掺杂剂；以及通过用具有至少一个离散波长的电磁辐射至少部分辐照结构化的表面，从而至少部分地加热半导体区域从而至少部分地活化掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 退火 方法 以及 通过 形成 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：对半导体区域进行结构化以形成所述半导体区域的结构化的表面；在所述半导体区域中布置掺杂剂；以及通过用具有至少一个离散波长的电磁辐射至少部分辐照所述结构化的表面以至少部分地加热所述半导体区域，从而至少部分地活化所述掺杂剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
