[发明专利]清洁膜的真空镀膜方法及镀膜器件在审

专利信息
申请号: 201611201051.6 申请日: 2016-12-22
公开(公告)号: CN106521417A 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 林志龙;曾妩;程朝阳;张俊惠 申请(专利权)人: 北京科勒有限公司;南昌科勒有限公司
主分类号: C23C14/10 分类号: C23C14/10;C23C14/32
代理公司: 北京邦信阳专利商标代理有限公司11012 代理人: 金玺
地址: 101599 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种清洁膜的真空镀膜方法及镀膜器件,所述镀膜方法包括(1)对待镀件进行镀前预处理;(2)将所述待镀件安装到真空镀膜机上,抽真空,向所述待镀件提供保护气体,采用气体离子源装置产生气体等离子体,所述等离子体对所述待镀件进行蚀刻;(3)向旋转硅靶提供所述保护气体和反应气体,启动离子轰击电源,以便在所述待镀件上镀二氧化硅膜;(4)抽真空,向所述待镀件提供全氟聚合物,以便在所述待镀件上镀疏水疏油复合膜。本发明提供一种清洁膜的真空镀膜方法,镀膜工艺更加节能环保,清洁膜使得卫浴产品易于清洁,硬度高且耐磨耐腐蚀,使用寿命长,而且高透明性还能够增加卫浴产品的光泽度。
搜索关键词: 清洁 真空镀膜 方法 镀膜 器件
【主权项】:
一种清洁膜的真空镀膜方法,其特征在于,包括:(1)对待镀件进行镀前预处理;(2)将所述待镀件安装到真空镀膜机上,抽真空,向所述待镀件提供保护气体,采用气体离子源装置产生气体等离子体,所述等离子体对所述待镀件进行蚀刻;(3)向旋转硅靶提供所述保护气体和反应气体,启动离子轰击电源,以便在所述待镀件上镀二氧化硅膜;(4)抽真空,向所述待镀件提供全氟聚合物,以便在所述待镀件上镀疏水疏油复合膜。
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