[发明专利]晶体管的修复方法和装置有效
| 申请号： | 201611193990.0 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106711028B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 简重光 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体管的修复方法和装置。一种晶体管的修复方法，用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的金属层的短路缺陷进行修复；所述修复方法包括：获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置；利用第一波长激光刻蚀掉所述短路位置上方的保护层；利用第二波长激光刻蚀掉所述短路位置区的金属层；以及利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层。上述方法针对不同层采用不同波长激光进行刻蚀，从而实现对其他层的保护。同时对通道层进行部分刻蚀，将该短路缺陷修复成正常状况，因此不会增加产品的暗点数，提高产品的良品率，减少产品报废。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 波长激光 短路位置 修复 金属层 晶体管 薄膜晶体管 方法和装置 短路缺陷 通道层 漏极 源极 产品报废 正常状况 保护层 良品率 点数 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的修复方法，用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的金属层的短路缺陷进行修复；其特征在于，所述修复方法包括：获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置；利用第一波长激光刻蚀掉所述短路位置上方的保护层；所述第一波长激光为不会对所述金属层造成损伤的激光；利用第二波长激光刻蚀掉所述短路位置区的金属层；所述第二波长激光为不会对所述短路位置下方的通道层造成损伤的激光；以及利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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