[发明专利]晶体管的修复方法和装置

说明书

本发明涉及一种晶体管的修复方法和装置。一种晶体管的修复方法，用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的金属层的短路缺陷进行修复；所述修复方法包括：获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置；利用第一波长激光刻蚀掉所述短路位置上方的保护层；利用第二波长激光刻蚀掉所述短路位置区的金属层；以及利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层。上述方法针对不同层采用不同波长激光进行刻蚀，从而实现对其他层的保护。同时对通道层进行部分刻蚀，将该短路缺陷修复成正常状况，因此不会增加产品的暗点数，提高产品的良品率，减少产品报废。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种晶体管的修复方法和装置。

背景技术

目前，常用的液晶显示器结构主要包括阵列基板、彩膜基板以及位于两块基板之间的液晶分子层。其中，阵列基板上设置有多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极。薄膜晶体管作为控制像素电极的开关，决定像素单元能否正常显示。在阵列基板的制作过程中，薄膜晶体管的源极和漏极在一次构图工艺中形成，但是源极和漏极中间的金属层因为制程能力较差，容易导致源极和漏极金属层通道短路。当源极和漏极金属层通道短路之后，传统短路修复方法是将该画素做成暗点。当暗点的点数超出产品规格时，就会造成产品报废。

发明内容

基于此，有必要提供一种不会增加暗点数的薄膜晶体管的修复方法和装置。

一种晶体管的修复方法，用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的金属层的短路缺陷进行修复；所述修复方法包括：获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置；利用第一波长激光刻蚀掉所述短路位置上方的保护层；所述第一波长激光为不会对所述金属层造成损伤的激光；利用第二波长激光刻蚀掉所述短路位置区的金属层；所述第二波长激光为不会对所述短路位置下方的通道层造成损伤的激光；以及利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层。

在其中一个实施例中，所述利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层的步骤之后，还包括在所述短路位置填充保护层的步骤。

在其中一个实施例中，填充的保护层将刻蚀掉的通道层和金属层填满；填充的保护层为绝缘树脂。

在其中一个实施例中，所述第一波长激光的波长小于360nm；所述第二波长激光的波长范围为600～1800nm；所述第三波长激光的波长小于360nm。

在其中一个实施例中，所述获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置的步骤为，采用自动光学检查机获取所述源极和漏极之间的金属层的短路位置。

一种晶体管的修复装置，用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的金属层的短路缺陷进行修复；所述修复装置包括：获取设备，用于获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置；及刻蚀设备，用于对所述短路位置进行刻蚀；所述刻蚀设备包括第一激光刻蚀单元，用于利用第一波长激光刻蚀掉所述短路位置上方的保护层；所述第一波长激光为不会对所述金属层造成损伤的激光；第二激光刻蚀单元，用于利用第二波长激光刻蚀掉所述短路位置区的金属层，所述第二波长激光为不会对所述短路位置下方的通道层造成损伤的激光；以及第三激光刻蚀单元，用于利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层。

在其中一个实施例中，所述修复装置还包括填充设备；所述填充设备用于对所述刻蚀设备刻蚀后的所述短路位置所在区域填充保护层。

在其中一个实施例中，填充的保护层将刻蚀掉的通道层和金属层填满；填充的保护层为绝缘树脂。

在其中一个实施例中，所述第一波长激光的波长小于360nm；所述第二波长激光的波长范围为600～1800nm；所述第三波长激光的波长小于360nm。

在其中一个实施例中，所述获取设备为自动光学检查机。