[发明专利]晶体管的修复方法和装置

权利要求书

1.一种晶体管的修复方法，用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的金属层的短路缺陷进行修复；其特征在于，所述修复方法包括：

获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置；

利用第一波长激光刻蚀掉所述短路位置上方的保护层；所述第一波长激光为不会对所述金属层造成损伤的激光；

利用第二波长激光刻蚀掉所述短路位置区的金属层；所述第二波长激光为不会对所述短路位置下方的通道层造成损伤的激光；以及

利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层。

2.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层的步骤之后，还包括在所述短路位置填充保护层的步骤。

3.根据权利要求2所述的修复方法，其特征在于，填充的保护层将刻蚀掉的通道层和金属层填满；填充的保护层为绝缘树脂。

4.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述第一波长激光的波长小于360nm，所述第二波长激光的波长范围为600～1800nm；所述第三波长激光的波长小于360nm。

5.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置的步骤为，采用自动光学检查机获取所述源极和漏极之间的金属层的短路位置。

6.一种晶体管的修复装置，用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的金属层的短路缺陷进行修复；其特征在于，所述修复装置包括：

获取设备，用于获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置；及

刻蚀设备，用于对所述短路位置进行刻蚀；所述刻蚀设备包括

第一激光刻蚀单元，用于利用第一波长激光刻蚀掉所述短路位置上方的保护层；所述第一波长激光为不会对所述金属层造成损伤的激光；

第二激光刻蚀单元，用于利用第二波长激光刻蚀掉所述短路位置区的金属层；所述第二波长激光为不会对所述短路位置下方的通道层造成损伤的激光；以及

第三激光刻蚀单元，用于利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层。

7.根据权利要求6所述的修复装置，其特征在于，所述修复装置还包括填充设备；所述填充设备用于对所述刻蚀设备刻蚀后的所述短路位置所在区域填充保护层。

8.根据权利要求7所述的修复装置，其特征在于，填充的保护层将刻蚀掉的通道层和金属层填满；填充的保护层为绝缘树脂。

9.根据权利要求6所述的修复装置，其特征在于，所述第一波长激光的波长小于360nm；所述第二波长激光的波长范围为600～1800nm；所述第三波长激光的波长小于360nm。

10.根据权利要求6所述的修复装置，其特征在于，所述获取设备为自动光学检查机。