[发明专利]用于可重构偶极子天线的GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管串的制备方法

摘要

本发明涉及一种用于可重构偶极子天线的GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管串的制备方法，所述可重构偶极子天线包括GeOI衬底、天线臂、同轴馈线和直流偏置线，所述天线臂由多个GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管串构成，所述GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管串的制备方法包括：选取GeOI衬底；刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以形成第一沟槽和第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积GaAs材料；对所述第一沟槽内的GaAs材料进行P型离子注入形成P型有源区，对所述第二沟槽内的GaAs材料进行N型离子注入形成N型有源区；在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线孔并溅射金属形成GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管依次首尾相连构成的所述GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管串；本发明实施例能够制备适用于高性能天线的GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管串。

主权项

1.一种用于可重构偶极子天线的GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管串的制备方法，其特征在于，所述可重构偶极子天线包括GeOI衬底、天线臂、同轴馈线和直流偏置线，所述天线臂由多个GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管串构成，所述GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管串的制备方法包括：/n(a)选取GeOI衬底；在所述GeOI衬底表面淀积第一保护层；包括：/n(a1)在所述GeOI衬底表面生成SiO₂材料形成第一SiO₂层；/n(a2)在所述第一SiO₂层表面生成SiN材料形成第一SiN层以最终形成所述第一保护层；/n(b)采用第一掩膜版，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一保护层及所述GeOI衬底以在所述GeOI衬底内形成隔离沟槽；其中，隔离沟槽的深度大于等于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；/n(c)在所述隔离沟槽内填充隔离材料；去除所述第一保护层及所述隔离沟槽外的所述隔离材料形成隔离区；/n(d)刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；其中，第一沟槽和第二沟槽的底部距顶层Ge底部的距离为0.5微米～30微米；/n(e)在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积GaAs材料；/n(f)利用离子注入工艺对所述第一沟槽内的GaAs材料进行P型离子注入形成P型有源区，对所述第二沟槽内的GaAs材料进行N型离子注入形成N型有源区；/n(g)在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线孔并溅射金属形成所述GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管；/n(h)将所述GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管依次首尾相连构成所述GaAs/Ge/GaAs SPiN二极管串。/n