[发明专利]真空‑半导体混合型光电探测器

摘要

本发明公开了一种真空‑半导体混合型光电探测器，包括输入光窗、光电阴极、陶瓷环、聚焦装置、半导体探测器、阳极底座和信号输出装置；光电阴极固定在输入光窗上，半导体探测器固定在信号输出装置上，信号输出装置固定在阳极底座上，光电阴极和半导体探测器的中间设置有聚焦装置，输入光窗与聚焦装置之间以及聚焦装置与阳极底座之间都通过陶瓷环控制距离并实现绝缘。本发明的混合型光电探测器将真空器件与半导体器件有机结合，具有探测光敏面积大、响应光谱灵活、响应速度快、动态范围大、增益高、暗计数低等优点，并且加工简单、装配方便、成本低、可靠性高。

主权项

一种真空‑半导体混合型光电探测器，其特征在于：包括输入光窗(1)、光电阴极(2)、陶瓷环(3)、聚焦装置、半导体探测器(9)、阳极底座(10)和信号输出装置；其中，光电阴极(2)固定在输入光窗(1)上，半导体探测器(9)固定在信号输出装置上，信号输出装置固定在阳极底座(10)上，光电阴极(2)和半导体探测器(9)的中间设置有聚焦装置，输入光窗(1)与聚焦装置之间通过陶瓷环(3)控制距离并实现绝缘，聚焦装置与阳极底座(10)之间通过陶瓷环(3)控制距离并实现绝缘。