[发明专利]真空‑半导体混合型光电探测器在审
| 申请号： | 201611178930.1 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106876514A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏霄;赵文锦;王霄;唐家业;周剑明;唐光华;戴丽英;姚勇;汪述猛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 半导体 混合 光电 探测器 | ||
1.一种真空-半导体混合型光电探测器，其特征在于：包括输入光窗(1)、光电阴极(2)、陶瓷环(3)、聚焦装置、半导体探测器(9)、阳极底座(10)和信号输出装置；其中，光电阴极(2)固定在输入光窗(1)上，半导体探测器(9)固定在信号输出装置上，信号输出装置固定在阳极底座(10)上，光电阴极(2)和半导体探测器(9)的中间设置有聚焦装置，输入光窗(1)与聚焦装置之间通过陶瓷环(3)控制距离并实现绝缘，聚焦装置与阳极底座(10)之间通过陶瓷环(3)控制距离并实现绝缘。
2.根据权利要求1所述的真空-半导体混合型光电探测器，其特征在于：所述聚焦装置包括聚焦电极一(4)、聚焦电极二(5)、聚焦电极三(7)和聚焦极帽(6)；聚焦电极一(4)、聚焦电极二(5)和聚焦电极三(7)的内径依次减少，工作时施加的电压依次增大，三个聚焦电极之间通过陶瓷环(3)控制距离并实现绝缘，聚焦极帽(6)固定在聚焦电极三(7)上。
3.根据权利要求2所述的真空-半导体混合型光电探测器，其特征在于：聚焦电极一(4)、聚焦电极二(5)和聚焦电极三(7)采用圆环形结构。
4.根据权利要求2所述的真空-半导体混合型光电探测器，其特征在于：聚焦极帽(6)的直径为光电阴极(2)的直径的1/7～1/4。
5.根据权利要求1所述的真空-半导体混合型光电探测器，其特征在于：所述信号输出装置包括金丝(8)、引针(11)和引针基座(12)；半导体探测器(9)通过金丝(8)连接到引针(11)，半导体探测器(9)接受的信号通过引针(11)和引针基座(12)实现信号输出。
6.根据权利要求1所述的真空-半导体混合型光电探测器，其特征在于：半导体探测器(9)的尺寸小于光电阴极(2)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
