[发明专利]光掩模和光掩模基板及其制造方法、光掩模坯体、显示装置制造方法有效
申请号: | 201611178018.6 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106933026B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 山口昇 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/60 | 分类号: | G03F1/60;G03F1/50 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供光掩模和光掩模基板及其制造方法、光掩模坯体、显示装置制造方法,能够尽量减小清洗工序中产生异物的可能性,抑制光掩模坯体、光掩模制造工序中产生瑕疵的风险。一种用于形成转印用图案而成为光掩模的由透明材料构成的光掩模基板,具有用于形成转印用图案的第1主表面、位于反面侧的第2主表面、以及垂直于这些主表面的端面。在第1主表面的端部附近设有倾斜区域,该倾斜区域具有第1倒角面和设在第1主表面与第1倒角面之间的第1曲面。第1倒角面相对于第1主表面的倾斜角为50度以下且具有平面。第1曲面的曲率半径r1(mm)满足0.3r1,第1曲面以及第1倒角面的表面粗糙度Ra小于0.05μm。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 光掩模基板 及其 制造 方法 光掩模坯体 显示装置 | ||
【主权项】:
一种由透明材料构成的光掩模基板,其用于形成转印用图案而成为光掩模,所述光掩模基板的特征在于,具有:用于形成所述转印用图案的第1主表面、位于所述第1主表面的反面侧的第2主表面、以及垂直于所述第1主表面及第2主表面的端面,在所述第1主表面的端部附近设有向平行于所述第1主表面的面投影的投影宽度为d0的倾斜区域,所述倾斜区域包括第1倒角面和设在所述第1主表面与所述第1倒角面之间的第1曲面,所述第1倒角面相对于所述第1主表面的倾斜角为50度以下,所述第1倒角面具有所述投影宽度为d1的平面,所述第1曲面的曲率半径r1满足0.3<r1,且所述第1曲面和所述第1倒角面的表面粗糙度Ra小于0.05μm,其中d0、d1、r1的单位为mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611178018.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备