[发明专利]玻璃再生处理方法、再生玻璃基板及使用其的光掩模坯料和光掩模有效
申请号: | 201380047359.8 | 申请日: | 2013-09-19 |
公开(公告)号: | CN104620176B | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 木下一树;二岛悟;青木阳祐;板仓敬二郎 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;B09B5/00;C03C15/00;C03C17/22;G03F1/60;G03F1/72 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及为了将在各种平板的生产中使用完的光掩模或在光掩模制造工序中成为不良的光掩模作为新型光掩模用玻璃基板再利用而进行再生处理的方法、利用该再生处理方法所再生的光掩模用玻璃基板、以及使用该光掩模用玻璃基板的光掩模用坯料及光掩模。通过对再生玻璃基板的表面未进行以往的物理性研磨处理而进行使润湿性均匀化直至在呼气像检查中不出现原本图案痕迹的处理,能够以低成本获得缺陷少的再生玻璃基板。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 玻璃基板 再生玻璃 再生处理 基板 光掩模制造工序 光掩模坯料 图案痕迹 研磨处理 低成本 均匀化 润湿性 物理性 再利用 呼气 坯料 玻璃 再生 检查 生产 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模用玻璃基板的再生处理方法,其是在至少一面以金属薄膜形成图案而成的光掩模用玻璃基板的再生处理方法,其特征在于,利用蚀刻液将形成于所述玻璃基板的金属薄膜溶解去除后,利用含有氢氧化钾作为碱成分的碱性水溶液进行湿式润湿性均匀化处理直至在呼气像检查中不出现所述图案为止。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本印刷株式会社,未经大日本印刷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380047359.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 玻璃再生处理方法、再生玻璃基板及使用其的光掩模坯料和光掩模-201380047359.8
- 木下一树;二岛悟;青木阳祐;板仓敬二郎 - 大日本印刷株式会社
- 2013-09-19 - 2019-02-26 - G03F1/68
- 本发明涉及为了将在各种平板的生产中使用完的光掩模或在光掩模制造工序中成为不良的光掩模作为新型光掩模用玻璃基板再利用而进行再生处理的方法、利用该再生处理方法所再生的光掩模用玻璃基板、以及使用该光掩模用玻璃基板的光掩模用坯料及光掩模。通过对再生玻璃基板的表面未进行以往的物理性研磨处理而进行使润湿性均匀化直至在呼气像检查中不出现原本图案痕迹的处理,能够以低成本获得缺陷少的再生玻璃基板。
- 移除接着剂的方法与装置-201680051025.1
- 朴一贤;赵大烨;金煐中 - EO科技股份有限公司
- 2016-08-17 - 2018-06-08 - G03F1/68
- 揭示一种自光罩上去除光罩与薄层接着的接着剂的装置。接着剂去除装置包括:激光照射部,向形成于上述光罩与上述薄层之间的接着剂层照射激光束;控制部,控制上述激光束的波长、波形及能量密度,以便借由照射上述激光束而去除上述接着剂层;以及拍摄部,对照射上述激光束的区域进行监控。
- 双硬掩模光刻工艺-201280070393.2
- J·C·阿诺德;S·D·伯恩斯;S·J·福尔摩斯;D·V·霍拉克;M·桑卡拉潘迪恩;Y·尹 - 国际商业机器公司
- 2012-12-20 - 2017-11-21 - G03F1/68
- 使用线图案对互连级电介质层之上的第一金属硬掩模层图案化。至少一个电介质材料层、第二金属硬掩模层、第一有机平面化层(OPL)以及第一光刻胶被施加在第一金属硬掩模层之上。第一通路图案被从所述第一光刻胶层转移到所述第二金属硬掩模层。第二OPL和第二光刻胶层被施加并使用第二通路图案进行图案化,该第二通路图案被转移到所述第二金属硬掩模层内。第一和第二通路图案的第一合成图案被转移到所述至少一个电介质材料层内。使用第一金属硬掩模层中的开口区域限制第一合成图案的第二合成图案被转移到互连级电介质材料层内。
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备