[发明专利]单向TVS结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611177402.4 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106783949A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 何慧强 | 申请（专利权）人： | 东莞市阿甘半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 提供了一种单向TVS结构，包括衬底，掺杂有第一类型杂质；第一掺杂区，设置在该衬底的顶面上并掺杂有第二类型杂质；第二掺杂区，设置在该衬底的底面下方并掺杂有第一类型杂质；至少一个第三掺杂区，设置在该衬底的底面下方并掺杂有第二类型杂质；以及导电层，设置在该第三掺杂区下方并将该第二掺杂区和第三掺杂区电性连接。还提供了一种制造上述TVS结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 单向 tvs 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单向TVS结构，包括：衬底，掺杂有第一类型杂质；第一掺杂区，设置在该衬底的顶面上并掺杂有第二类型杂质；第二掺杂区，设置在该衬底的底面下方并掺杂有第一类型杂质；至少一个第三掺杂区，设置在该衬底的底面下方并掺杂有第二类型杂质；以及导电层，设置在该第三掺杂区下方并将该第二掺杂区和第三掺杂区进行电性连接。
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