[发明专利]一种半导体制造系统和制造方法

摘要

获取SEM图像。该SEM图像示出金属线和设置在金属线之上的贯通孔。贯通孔暴露金属线的与贯通孔垂直对准的部分。贯通孔的第一部分和贯通孔的第二部分都不与金属线垂直对准并且设置在金属线的相对侧上。处理获取的SEM图像以增强第一部分和第二部分与它们周围的区域之间的对比度。在第一方向上测量贯通孔的第一部分的第一尺寸和第二部分的第二尺寸。第一方向不同于金属线延伸的第二方向。基于第一尺寸和第二尺寸确定贯通孔和金属线之间的覆盖。本发明实施例涉及一种半导体制造系统和制造方法。

主权项

一种制造半导体的方法，包括：通过用电子束扫描晶圆的部分来获取所述晶圆的部分的图像，所述晶圆的部分包括金属线和设置在所述金属线之上的贯通孔，其中，所述贯通孔暴露所述金属线的与所述贯通孔垂直对准的部分，并且其中，所述贯通孔的第一部分和所述贯通孔的第二部分都不与所述金属线垂直对准并且设置在所述金属线的相对两侧上；处理获取的所述图像，以增强所述贯通孔的第一部分和第二部分与它们周围的区域之间的对比度；测量所述贯通孔的第一部分的第一尺寸并且测量所述贯通孔的第二部分的第二尺寸，其中，在第一方向上测量所述第一尺寸和所述第二尺寸，所述第一方向不同于所述金属线延伸的第二方向；以及基于所述第一尺寸和所述第二尺寸确定所述贯通孔和所述金属线之间的覆盖。