[发明专利]一种化学机械研磨方法在审
| 申请号： | 201611135969.5 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108214108A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 唐强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B37/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学机械研磨方法，所述方法包括以下步骤：提供待研磨晶圆，所述晶圆包括具有开口的层间绝缘层，以及覆盖所述层间绝缘层并填充所述开口的金属钨层；使用第一研磨液对所述晶圆进行第一研磨，以去除所述层间绝缘层上的大部分所述金属钨层；使用第二研磨液对所述晶圆进行第二研磨，以去除所述层间绝缘层上剩余的所述金属钨层，形成钨插塞；清除所述晶圆上的所述第二研磨所残留的研磨液。根据本发明的研磨方法，在正常研磨后，增加清除所述晶圆上的所述第二研磨所残留的研磨液的步骤，在几乎不增加生产成本的条件下，防止了晶圆在现有WCMP研磨过程中存在的钨插塞损伤情况，以此提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 晶圆 层间绝缘层 研磨液 金属钨层 化学机械研磨 钨插塞 去除 开口 残留 产品良率 增加生产 填充 损伤 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待研磨晶圆，所述晶圆包括具有开口的层间绝缘层，以及覆盖所述层间绝缘层并填充所述开口的金属钨层；对所述晶圆进行第一研磨，以去除所述层间绝缘层上的大部分所述金属钨层；对所述晶圆进行第二研磨，以去除所述层间绝缘层上剩余的所述金属钨层，形成钨插塞；清除所述晶圆上的所述第二研磨所残留的研磨液。
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